机译:1.55μmInGaAs / InGaAsP MQW和应变MQW激光器的K因子,差分增益和非线性增益系数对光约束因子的依赖性
机译:λ〜1.3μmInGaAsP / InGaAsP MQW PBH激光器的器件特性和金属电介质高反射率涂层分析
机译:λ〜1.57μm的InGaAsP / InGaAsP MQW DCPBH激光器的制备和调制特性
机译:微胶囊效果和Ingaas / IngaASP MQW Microdisk激光
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:基于InAs / InGaAs / GaAs量子点的超小型微盘和微环激光器
机译:InGaAsp / IngaASP MQW DCPBH激光器的制造和调制特性在λ~1.57μm
机译:高功率脉冲操作加宽波导1.5 m InGaasp / Inp mQW激光器的设计与实现