School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, N.W., Georgia Institute of Technology, Atlanta, 30332-0250 USA;
机译:采用0.18μmCMOS技术的60GHz毫米波CMOS平衡巴伦
机译:基于SiGe BiCMOS 55 nm技术的毫米波噪声源开发,适用于高达260 GHz的应用
机译:SiGe BiCMOS技术中具有晶体管接地屏蔽结构的毫米波倍频器
机译:宽带,毫米波,不对称的Markand Baruan在180 nm Sige Bicmos技术
机译:采用65nm CMOS技术的宽带毫米波LNA,具有最小的增益和噪声变化
机译:几层各向异性超表面同时生成高效宽带非对称异常折射和反射波
机译:毫米波超紧凑型宽带二极管混频器,采用改进的Marchand巴伦