Department of EE, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, Korea;
机译:适用于SAW不足3G / 4G FDD分集接收机的0.4-6 GHz 17-dBm B1dB 36-dBm IIP3通道选择低噪声放大器
机译:基于闪动电压跟随器的低噪声放大器,在2.26 GHz时具有640 MHz的带宽,1.3 dB NF,1.2V V-dd以及高达10 dBm的IIP3
机译:对“具有互补跨导线性化的高线性度1 GHz 1.3 dB NF CMOS低噪声放大器”的修正
机译:A 1 GHz 1.3 DB NF +13 DBM输出P1DB SOI CMOS低噪声放大器用于锯脱离的接收器
机译:SOI,1.9GHz CDMA低噪声放大器的1-V,CMOS
机译:高线性度CMOS接收器,可实现+ 44dBm IIP3和+ 13dBm B1dB的无SAW LTE无线电
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。