Institute of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
机译:前氧化物质量对部分耗尽和完全耗尽的SOI N-MOSFET的瞬态效应和低频噪声的影响
机译:亚宽40 nm以下多指nMOSFET和pMOSFET的窄带效应对高频性能和RF噪声的影响
机译:依赖于布局的STI应力和有效宽度对纳米级nMOSFET的低频噪声和高频性能的影响
机译:窄宽度效应对35nm多指状N-MOSFET中的高频性能和噪声的影响
机译:用于集成低频噪声激光器的超窄带宽光学谐振器。
机译:高频高电平窄带噪声对低频信号的掩盖
机译:NBTI对35nm CmOs数字电路性能的影响