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Parasitic Capacitance Optimization of GaAs HBT Class E Power Amplifier for High Efficiency CDMA EER Transmitter

机译：高效CDMA EER发射器GaAs HBT E类功率放大器的寄生电容优化

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A class E power amplifier (PA) for a CDMA EER transmitter is implemented with GaAs HBT technology. This paper demonstrates an efficiency improvement with a parasitic capacitance compensation circuit. In order to obtain high output power, the PA needs the

机译：利用GaAs HBT技术实现了用于CDMA EER发射机的E类功率放大器（PA）。本文演示了寄生电容补偿电路的效率提高。为了获得高输出功率，功率放大器需要

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来源
《Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 2007 IEEE 》|2007年|P.733-736|共4页
会议地点 HonoluluHI
作者
Ki Young Kirn; Ji Hoon Kim; Sung Min Park; Chul Soon Park;
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作者单位

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正文语种
中图分类
关键词
III-V semiconductors; UHF bipolar transistors; UHF power amplifiers; code division multiple access; gallium arsenide; heterojunction bipolar transistors; radio transmitters; GaAs; HBT class E power amplifier; efficiency 7 percent; efficiency 71 percent; frequency 1;

机译：III-V半导体； UHF双极晶体管；超高频功率放大器；码分多址；砷化镓异质结双极晶体管；无线电发射机；砷化镓; HBT E类功率放大器；效率7％；效率71％；频率1;

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