NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Electronics Corporation 3;
high-speed; high-output-current; photodiode; InP/InGaAs; UTC-PD; APD; photoreceiver; millimeter-wave; sub-millimeter-wave; THz; imaging; high-frequency measurements; photonic local signal supply;
机译:新型吸收体设计的高速改进型单行进载流光电二极管
机译:基于场屏蔽分析的高速单行载波光电二极管饱和特性研究
机译:利用离子注入与InP异质结双极晶体管单片集成的高速单行进带载光电二极管
机译:用于高速检测和宽带感测的UNI行驶载波光电二极管
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:先进生物医学成像和传感特别部分:混合光电倍增管和光电二极管并行检测阵列用于磁共振成像引导下的乳房宽带光学光谱
机译:基于高速和高光电流的INP的UNI行驶载波光电二极管