MEMC Electronic Materials , viale Gherzi 31, 28100 Novara 1, Italy;
机译:p型硅片在垂直方向上的铜内部吸杂特性
机译:n / n〜+外延硅晶片中铁的增强的内部吸杂:氮环境中高温快速热退火的影响
机译:通过内部吸气增强多晶硅晶片在劣化区域的性能
机译:硅晶片中有效内部吸收的阈值
机译:硅中铁和镍的内部吸气剂。
机译:CMOS图像传感器的暗电流光谱法对碳氢化合物分子离子注入的硅晶片进行吸杂设计
机译:通过内部吸气增强多晶硅晶片在劣化区域的性能
机译:硅中注入诱导空穴吸杂与siO {sub 2}沉淀相关的内部吸杂之间的竞争