GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅰ)

摘要

これまで我々は，大気暴露によるGaN層表面の酸化状態について検討を進めてきたが，大気中には，半導体の表面に影響を及ぼす物質が多く存在する．工業用潤滑油などを起点とするSi系化合物も大気中を浮遊する物質の一つで，GaN層の表面に吸着した際，デバイス応用上その電気的・光学的特性等に影響を与える．しかし，Si系化合物からの汚染は，半導体デバイスに携わる研究者の中では問題視されているものの，それに焦点を当てた報告がほとhど無いのが現状である．そこで，この問題の抽出とその対策について検討していくこととした．今回は，成長後のGaN層を大気暴露させて，Si系化合物からの汚染状況について主に検討を行った．