1050°Cで熱処理において生成したシリコン窒化膜の常磁性欠陥（°C)

摘要

不揮発性半導体メモリのメモリセル構造として、シリコン窒化膜を用いるMONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型が注目されている。この構造のメモリの性能を向上させるためには、シリコン窒化膜中に存在する点欠陥の性質を理解することが重要である。今回、N/Si組成比及び屈折率nが異なるシリコン窒化膜に対して1050 °C熱処理を施した結果、N/Si組成比と屈折率nの違いによって2.0020のg値を示すESR (Electron Spin Resonance)信号が発生するものと発生しないものがあることが分かったので報告する。