首页> 外文会议>2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 >T2SL 赤外線検出器の暗電流低減のための電子障壁層の設計
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T2SL 赤外線検出器の暗電流低減のための電子障壁層の設計

机译:用于降低T2SL红外探测器暗电流的电子阻挡层设计

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摘要

タイプⅡ超格子(Type 2 super lattice: T2SL)赤外線検出器は量子型の赤外線検出器の一種であり、水銀カドミウムテルル赤外線検出器に匹敵する高い感度を得られる可能性があることから注目を集めている。T2SL 赤外線検出器のS/N 比向上のためには、暗電流(光電流とは無関係に流れる電流)を抑制することが重要である。今回我々は、暗電流の抑制のための構造として、InP 基板と格子整合するタイプⅠ超格子(T1SL)からなる電子障壁層を考案した。数値シミュレーションによりタイプⅠ超格子の好ましい膜厚および暗電流低減効果を見積もったので、その結果について報告する。
机译:2型超晶格(T2SL)红外探测器是量子红外探测器之一。 它是一种物种,具有提供与汞镉碲碲红外探测器相当的高灵敏度的潜力。 正在引起关注。为了提高T2SL红外探测器的信噪比,暗电流(与光电流无关) 抑制流过的电流很重要。这次,作为抑制暗电流的结构,我们 我们设计了一个由I型超晶格(T1SL)构成的电子势垒层,该晶格与InP衬底晶格匹配。数值模拟 我们估计了I型超晶格的理想膜厚和暗电流减少效果,结果基于该结果。 我将对此进行报告。

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