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田震; 肖昕; 宋淑芳; 胡尚正; 周立庆;
华北光电技术研究所,北京 100015;
中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南 长沙 410111;
碲镉汞; 高温工作; p-on-n; As离子注入; 富汞垂直液相外延;
机译:铟砷锑苷和汞镉碲化物与长波长红外探测器材料的比较
机译:碲镉汞薄层作为太赫兹和红外探测器
机译:汞-镉-碲化物红外探测器的表面钝化
机译:用于红外探测器的多孔硅和镉 - 汞 - 碲化酰胺(CMT)异质结构
机译:碲化汞镉和第三代红外探测器的汞镉硒材料的表征
机译:芳基碲化脲(II)阳离子的合成和结构; 4-叔丁基-26-双(1-戊基-1H-苯并咪唑-2-基-κN3)苯基-κC1碲(II)(14-二恶烷)三碘二汞(II)
机译:高温下分离带红外探测器暗电流机理分析
机译:低暗电流光伏多量子阱长波长红外探测器
机译:互扩散的基于汞-镉-碲化物的红外探测器材料的缺陷减少
机译:富碲溶液中用于碲化汞镉镉液相生长的含汞量
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