CuI/a-IGZO透明ヘテロ接合の自己駆動型UVセンサとしての可能性

摘要

CuIは室温で作製可能な高移動度透明p型半導体である。我々はCuIを作製する独自の方法を開発してきた。CuIとアモルファスIn-Ga-Zn-O (a-IGZO)を積層することにより透明なp-n接合が作製できる。さらに、このp-n接合はUV光に対して光起電力効果を示す。本研究では、CuI/a-IGZOをヘテロ接合の光起電力効果を利用した自己駆動型紫外線センサの可能性を検討した。