ITO/p-GaN 界面への窒素ラジカル処理によるコンタクト特性の改善

摘要

GaN はLED を初めとした光デバイスから電子デバイス等、幅広い分野への応用が期待されている材料である。GaN デバイスの電極に求められる特性として下地GaN との良好なコンタクト特性がある。特にp-GaN と電極材料間のコンタクトでは、p-GaN の仕事関数が高く適した電極材料が存在しないこと、及びp-GaN のドーパントであるMg の活性化率が低いことから低接触抵抗化が難しく改善の要望が高い。そのp-GaN と電極材料間のコンタクトを改善するために、電極材料を成膜する前のp-GaN表面にプラズマ処理を行うことでp-GaN表面を良好な状態へと改質する取り組みが検討されている[1]。しかし、プラズマ処理では荷電粒子によりp-GaN へダメージを与えている懸念がある。そこで、電荷をもたないラジカルをp-GaN 表面に照射することで、ダメージを与えることなくp-GaN 表面を良好な状態へ改質できると推察した。今回、窒素ラジカル照射に接触抵抗低減の効果があるか検証を行った。