School of Engineering, University of Glasgow, Oakfield Avenue, Glasgow G12 8LT, U.K.;
FinFETs; Logic gates; SRAM cells; Semiconductor device modeling; Stability analysis; FinFET; SRAM; process variation; stability; statistical variability; unified compact modelling;
机译:具有通过门反馈的基于三模独立栅极FinFET的SRAM:技术-电路协同设计,增强了单元的稳定性
机译:基于FinFET的6T SRAM单元设计:性能指标,工艺变化和温度影响的分析
机译:使用统计阻抗场方法研究SRAM单元静态噪声裕度的统计变异性
机译:基于纳米级FinFET的SRAM细胞稳定性的过程与统计变异性的相互作用的精确模拟
机译:SRAM单元变异性和老化的统计特征和分解。
机译:通过基因-基因相互作用和计算模拟探索了染色体稳定性与细胞周期控制之间的相互作用
机译:准确模拟基于纳米级FinFET的sRam单元稳定性的工艺和统计可变性之间的相互作用