【24h】

A Large-Signal Thermal Model of GaAs MESFETs for MMIC CAD Applications

机译:用于MMIC CAD应用的GaAs MESFET的大信号热模型

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摘要

A temperature dependent DC model of GaAs MESFETs is proposed. Modelling the dependence on temperature of the device threshold voltage and of the maximum saturation drain-source current allows to characterize low- and high-power GaAs MESFETs with results, compared with the Rodriguez-Tellez model, showing improvements of accuracy up to 60%.
机译:提出了GaAs MESFET的温度相关DC模型。与Rodriguez-Tellez模型相比,通过对器件阈值电压和最大饱和漏源电流对温度的依赖关系进行建模,可以表征低功率和高功率GaAs MESFET的结果,结果显示精度提高了60%。

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