Politecnico di Bari, Laboratorio di Dispositivi Elettronici, Dipartimento di Elettrotecnica ed Elettronica, Via E. Orabona 4, 70125, Bari, Italy;
机译:用于大信号应用的GaAs MESFET的频散模型
机译:GaAs MESFET / HEMT的精确大信号单电流源热模型
机译:具有自加热热模型的SiC MESFET的经验大信号模型
机译:GaAs控制MMIC的DC-50 GHz开关MESFET建模技术及其应用
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:基于GaAs MMIC中双热流路径的n + GaAs / AuGeNi-Au热电偶型RF MEMS功率传感器
机译:使用GaAs MESFET的多FET MMIC:应用和新进展
机译:Gaas mEsFET大信号建模与分析的有效方法