Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie, PVcomB, Schwarzschildstrasse 3, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Institute Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, D-12489 Berlin, Germany;
Transparent conducting oxides; ZnO; magnetron sputtering; HIT solar cells; a-Si:h/μc-Si:H tandem cells;
机译:掺杂对光伏应用中氧化锌(ZnO)薄层性能的影响
机译:前体浓度对通过单步溶液法沉积的p型和n型Cu1-XCdXS2薄膜的性质和电导率的调节的影响,这是光伏应用的新型材料
机译:用于高级传感器应用的ZnO薄膜的材料特性调整
机译:ZnO:A1具有光伏应用的调谐性质:薄层和高移动性材料
机译:硫族化物矿物,薄膜,层状材料和带电的氧化还原液流电池的光伏特性
机译:用于纳米器件应用的超薄和薄ZnO纳米线阵列的结构光学和磁性性质的调整
机译:用于高级传感器应用的ZnO薄膜的调整材料特性