Alcatel Thales Ⅲ-ⅤLab, Domaine de Corbeville, 91404 Orsay Cedex, France;
semiconductor laser; high power laser diode; broad area laser; beam quality; 852nm; atomic clock;
机译:无铝有源区高功率半导体二极管激光器镜面的新型钝化工艺
机译:无铝大功率激光二极管的技术与应用
机译:来自宽波导无铝有源区(/ spl lambda / = 805 nm)二极管激光器的8.8 W CW功率
机译:用于原子钟和干涉测量应用的高功率无源有源区(λ= 852nm)DFB激光二极管
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:高功率光动力疗法(HLLT)功效的体外初步研究:脉冲二极管激光器和超脉冲二极管激光器之间的比较以及过氧化氢的受控稳定作用
机译:用于原子钟和干涉测量应用的高功率无效区域(?= 852nm)DFB激光二极管
机译:数字合金成分分级技术在应变InGaas / Gaas / alGaas二极管激光有源区的应用