EECS Dept., Verbilt University, Nashville, TN 37235;
1/f noise; silicon-on-insulator (SOI); high-K dielectrics; MOSFETs; radiation effects; buried oxide; total dose; oxide traps; quasi double-gate mode;
机译:SOI和SOS MOSFET的p-Si层在反面或掩埋的p-Si / SiO_2界面附近产生的非平凡GR和1 / f噪声
机译:γ辐照下具有键合Si / SiO_2界面的SOI结构的埋层氧化物中的电荷积累:初步离子注入的作用
机译:Hfsion / Sio_2栅介质的应变和非应变三栅极SOI鳍片中的LKE和BGI洛伦兹噪声
机译:SOI掩埋氧化物和替代电介质的1 / f噪声与SIO_2
机译:薄膜中的主题:非均相催化剂中纳米级的几何结构敏感性,以及用于替代栅介质的铈氧化物
机译:金属氧化物和退火金属作为金属盐的替代品用于固定比例的金属混合物在土壤中生态毒性试验
机译:内氧化对分离 - 氧(SIMOX)工艺形成的掩埋氧化物氧缺氧和介电强度的影响
机译:退火诱导H(+)生成在sOI埋氧层中的反应和扩散;微电子工程