IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium,Department of Electrical Engineering (ESAT), Katholieke Universiteit Leuven, B-3001 Leuven,Belgium;
Tokyo Electron Limited, Akasaka Biz Tower, 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-6325 Japan;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
Department of Electrical Engineering (ESAT), Katholieke Universiteit Leuven, B-3001 Leuven,Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 74, B-3001 Leuven, Belgium;
机译:MOCVD生长的HfO2薄膜的电阻开关现象
机译:基于混合NiOx / NiOy膜的电阻式开关存储器件的改进的单极电阻式开关特性
机译:通过PI-MOCVD在电阻切换应用中将LaMnO3 +δ薄膜集成到镀铂硅基板上
机译:工艺参数对MOCVD NIO薄膜电阻切换的影响
机译:工艺参数对铁钨粉末和薄膜磁性能的影响。
机译:通过PI-MOCVD在电阻开关应用中将LaMnO3 +δ薄膜集成到镀铂硅基板上
机译:电阻率mOCVD生长HfO2薄膜的电阻切换现象 切换存储设备
机译:电流反转对示踪剂原子数据对铝阳极氧化膜组成和性能的影响。过程物理参数在电解质阴离子渗透阳极膜中的作用