Department of Engineering, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YW, UK;
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK;
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK;
Asahi Kasei Corporation, 2-1 Samejima, Fuji-city, Shizuoka 416-8501, Japan;
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK;
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK;
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK;
Mid-infrared; Quantum Dots; InSb; Molecular beam epitaxy; Photoluminescence;
机译:在中红外发射高密度基于InSb的量子点
机译:中红外InSb量子点二极管激光器的增益和调谐特性
机译:使用变质InAs缓冲层在GaAs衬底上生长的中红外光谱范围的InSb量子点
机译:用于中红外光子器件的基于INSB的量子点纳米结构
机译:自组装量子点半导体纳米结构建模:光子器件应用。
机译:基于可见光量子点的纳米压印高折射率有源光子纳米结构
机译:用于中红外光子器件的基于InSb的量子点纳米结构
机译:利用平面光子晶体技术的中红外量子点发射器