V. E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NASU Pr. Nauki 45 Kiev 03028 Ukraine;
Mississippi State University 216 Simrall Hall Box 9571 Mississippi State M;
机译:EPR研究富碳氢化非晶硅碳膜中与碳和硅有关的缺陷
机译:Langmuir探针与光发射光谱在可变磁场电子回旋共振化学气相沉积过程中的比较和综合研究,该过程用于沉积氢化非晶硅薄膜
机译:脉冲未过滤阴极真空电弧工艺沉积并掺入氮的四面体非晶碳膜的空间电荷限制传导和电子顺磁共振研究
机译:高频电子顺磁共振的沉积和退火碳氢化非晶硅膜研究
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:来自非晶碳和非晶氢化碳膜的光吸收和电子自旋共振研究的π能带和能隙状态
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日