Cornell University Ithaca NY 14853;
机译:质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:具有非晶硅发射极的硅异质结双极晶体管的频率响应研究
机译:对紫立岩铝镓氮化物/碳化硅异质结双极晶体管频率响应的自发和压电偏振效应
机译:氮化镓/碳化硅异质结双极晶体管的设计与制造。
机译:利用射频溅射制备的UV /臭氧处理改善了氧化镓/ P-EPI碳化硅静态静态晶体管的电气特性
机译:氮化硅侧壁辅助自对准Inp / InGaas异质结双极晶体管的特性
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管