A.M.Prokhorov General Physics Institute of RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991 Russia IM2NP-UMR CNRS 6242, Faculte des Sciences St.-Jerome - case 142 Marseille 13397 France;
A.M.Prokhorov General Physics Institute of RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991 Ru;
digital ferromagnetic heterostructures; ab initio calculation; spintronics;
机译:AB Initio Gasb / Mn和Gaas / Mn数字铁磁异质结构的电子和磁性性能研究
机译:Mn / Ge数字铁磁异质结构的电子和磁性:从头开始研究
机译:从头开始研究铁磁Be_(1-x)Mn_xSe和Be_(1-x)Mn_xTe合金的电子结构和磁性能
机译:AB Initio对Gasb / Mn和GaAs / Mn数字铁磁异质结构的电子和磁性性能研究
机译:铁磁MnAs / GaAs异质结构和MnAs / InAs自旋LED的研究。
机译:从头算研究Ga1-xMnxP(x = 0.03、0.25、0.5和0.75)合金的磁性和诱导的半金属
机译:$ ab $ - $ initio $电子结构,光学和磁光 $ mnGaas $数字铁磁异质结构的性质
机译:(Ga,mn)作为数字铁磁异质结构中铁磁性的外在衬底取向依赖性