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机译:实时激光干涉测量的制造集成,以各向同性地蚀刻接触点和过孔的氧化硅膜
Jake Pope; Jr.; Motorola; Inc.; Mesa; AZ; USA; Robert Woodburn; Motorola; Inc.; Mesa; AZ; USA; J.Watkins; Motorola; Inc.; Mesa; AZ; USA; Roger B. Lachenbruch; Matrix Integrated Systems; Richmond; CA; USA; Gregory C. Viloria; SC Technology; Inc.; Richmond;
机译:重点介绍了两种基于通孔的集成技术:硅通孔和嵌入式组件到PCB中。制造和可靠性的优缺点
机译:金属蚀刻后湿法清洗工艺和氮氧化硅膜对电荷诱导钨通孔腐蚀的影响的研究
机译:基于氧化钒异质结和激光掺杂触点的多晶硅薄膜太阳能电池
机译:制造实时激光干涉测量到各向同性蚀刻硅氧化膜的整合,用于接触和通孔
机译:用蚀刻和沉积法对二氧化硅接触孔的等离子体蚀刻轮廓进行建模。
机译:低温阳极氧化硅薄膜的生长和腐蚀速率研究
机译:使用钌膜作为蚀刻面罩的高度选择性和垂直蚀刻二氧化硅
机译:形成用于半导体存储器件的硅量子点,涉及使用阻挡膜作为掩模对衬底进行各向同性蚀刻,并通过热处理氧化各向同性蚀刻的衬底以形成栅极氧化膜
机译:去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译:用于去除掺杂低钾碳的氧化硅介电材料中的光刻胶的工艺以及用于去除光刻胶残留物的工艺以及去除光刻胶的工艺
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