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【24h】

Concurrent dual band 2.4/3.5GHz fully integrated power amplifier in 0.13µm CMOS technology

机译:采用0.13µm CMOS技术的并发双频2.4 / 3.5GHz全集成功率放大器

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摘要

this paper proposes novel dual-band matching network, suitable for the design of integrated concurrent dual band power amplifier in a multi-standard radiofrequency front-end. The effectiveness of the proposed dual band matching network was demonstrated through the implementation of a power amplifier operating at 2.4GHz and 3.5GHz in IBM 0.13µm CMOS technology. The designed 1.25mm×1.25mm dual band PA allowed for Power Added Efficiency (PAE) and output power of about 42% and more than 18dbm, respectively, at both frequencies.
机译:本文提出了一种新颖的双频匹配网络,适用于在多标准射频前端中集成并发双频功率放大器的设计。通过在IBM 0.13µm CMOS技术中以2.4GHz和3.5GHz运行的功率放大器的实施,证明了所建议的双频带匹配网络的有效性。设计的1.25mm x 1.25mm双频段功率放大器在两个频率下均实现了功率附加效率(PAE)和分别约为42%的输出功率和18dbm以上的输出功率。

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