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机译:放大器级具有低功耗,适用于采用cmos技术集成的电路
公开/公告号FR2740279B1
专利类型
公开/公告日1997-12-26
原文格式PDF
申请/专利权人 MATRA MHS;
申请/专利号FR19950012379
发明设计人 REMI GERBER;JANICK SILLORAY;
申请日1995-10-20
分类号H03F3/18;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 02:42:05
机译: 低功耗的CMOS集成电路放大器
机译: bicmos技术中的功率放大器具有MOS技术中的输出级
机译: bicmos技术中的功率放大器,mos技术中输出的一个阶段。