Schottky gate field effect transistors; avalanche breakdown; Wunsch-Bell dependency; avalanche breakdown; catastrophic thermal breakdown; electrothermal processes; fusion temperature; silicon Schottky FET active area; volt-ampere characteristics;
机译:MESFET有源区的异质性对标准Wunsch-Bell相关性的影响
机译:4H和6H碳化硅(SiC)中MOSFET器件特性的温度依赖性
机译:4H和6H碳化硅(SiC)中MOSFET器件特性的温度依赖性
机译:硅肖特基FET有源区不规则性对伏安特性和Wunsch-Bell依赖性的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:人与硅氧烷(硅酮)的直接接触–安全或风险第1部分。硅氧烷(硅酮)的特性
机译:磁场对真空电弧放电电压 - 安培特性的影响