etching; high electron mobility transistors; microwave transistors; drain current magnitude; etching depth; heteroepitaxial structure; microwave parameters; pHEMT characteristics; pHEMT drain current; semiconductor structure;
机译:高电流和热加速应力作用下InGaP门控PHEMT的噪声特性
机译:通过基于柠檬酸的选择性湿法刻蚀增强了栅极凹入和侧壁凹入的AlGaAs / InGaAs PHEMT的特性
机译:使用电子束光刻技术研究尺寸为0.1μm的Γ门的PHEMT的结构,制造和特性
机译:闸门设计的特殊性及其对PHEMT特性的影响
机译:溶解有机碳对聚集和聚集特性的影响
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声
机译:细粒对集料基层强度和排水特性的影响