Department of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287;
rnDepartment of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287;
rnDepartment of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287;
机译:p-GaN退火对InGaN / GaN MQW LED光学和电学性质的影响
机译:在MQW有源层和n-GaN覆盖层之间具有InGaN插入层的,基于GaN的蓝色LED的改进性能
机译:较低温度的p-GaN粗糙表面提高了InGaN / GaN MQW LED的光输出功率
机译:氮化物半导体可以提供直接过渡的宽带隙能量,从而使200至400nm的紫外(UV)发射能够。 GaN P-N结,IngaN-LED,GaN-MQW-LED,Algan-QW-LED和InalGaN LED被提出为UV发射器S.
机译:发射蓝光的InGaN / GaN MQW中不均匀性的光学表征。
机译:使用近场扫描光学显微镜对InGaN / GaN QWs LED中的V缺陷进行纳米级表征
机译:InGaN / GaN mQW氢处理和穿透位错优化对GaN LED效率的影响