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EOT, Workfunction, and Vfb Roll-Off in HfO2/Metal Gate Stacks

机译：HfO2 /金属门堆栈中的EOT，功函数和Vfb下降

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《Microelectronics and Electron Devices, 2009. WMED 2009》|2009年|1-3|共3页
会议地点 Boise ID(US);Boise ID(US)
作者
Goswami Jaydeb; McTeer Allen;
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