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SnOsub2/sub-based memristors and the potential synergies of integrating memristors with MEMS

机译:基于SnO 2 的忆阻器以及将忆阻器与MEMS集成的潜在协同作用

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摘要

Memristors, usually in the form metal/metal-oxide/metal, have attracted much attention due to their potential applicationfor non-volatile memory. Their simple structure and ease of fabrication make them good candidates for dense memorywith projections of
机译:通常以金属/金属氧化物/金属形式存在的忆阻器由于其在非易失性存储器中的潜在应用而备受关注。它们的简单结构和易于制造的特性使其成为密集记忆的理想选择,并且具有

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