National Institute of Standards and Technology (United States);
机译:通过在优化化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体形成GaN的截面结构和反应离子蚀刻
机译:低功率电感耦合等离子体制造的反应离子蚀刻诱导损伤反应离子蚀刻损伤的评价与减轻
机译:无掩模电感耦合等离子体(ICP)蚀刻纳米结构GaN的可控过程
机译:电感耦合等离子体蚀刻制造的GaN纳米玻璃器的优化和形状控制
机译:控制在感应耦合等离子体中蚀刻过程中形成和去除涂层的相对速率。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构
机译:用于GaN,InN和alN的电感耦合等离子体蚀刻的基于ICl和IBr的等离子体化学的比较;材料科学工程B