In-Memory Computing (IMC); Single-ended 6T SRAM; Ripple-carry adder; Von-Neumann bottleneck; FS-GDI; Boolean functions;
机译:标准6T SRAM阵列中机器学习分类器的内存中计算
机译:在TMDFET技术中使用位交织方案进行半选择无干扰的单端9晶体管SRAM单元
机译:基于单端无干扰CNTFET的多Vt SRAM的性能评估
机译:多功能内存计算架构使用单端无干扰6T SRAM
机译:用于内存计算的新型SRAM架构
机译:OsRAMOSA2通过调节花梗长度来塑造圆锥花序结构
机译:90nm CMOS技术的单端6T SRAM单元分析和电荷回收存储架构的实现