机译:具有隔离方案和掩埋氧化物厚度的薄膜SOI nMOSFET热载流子退化行为
机译:TID辐射和热载流子应力在130nm短沟道PDSOI NMOSFET中引起的降解
机译:两阶段热载流子退化及其对亚微米LDD NMOSFET寿命预测的影响
机译:薄膜SOI nMOSFET在V / sub GS // spl ap / V / sub TH /应力下的新型器件寿命行为和热载流子降解机制
机译:SOI设备的接口特性和热载流子效应
机译:非晶氧化物薄膜器件中与波长有关的光学不稳定性机理和衰减动力学
机译:动态热载体应力下的多晶硅薄膜晶体管中的降解
机译:选定的HCFCs,HFCs,CH3CCl3及其降解产物可能的大气寿命和化学反应机制,防止海水和云水中的溶解和/或降解