机译:源-漏非均匀掺杂沟道(NUDC)MOSFET结构,可实现高电流驱动能力和阈值电压可控性
机译:用于衬底不均匀掺杂的n-MOSFET的新简化阈值电压模型及其在MOSFET小型化中的应用
机译:具有高斯掺杂沟道的短沟道MOSFET阈值电压的二维分析模型
机译:一种新颖的源-漏非均匀掺杂沟道(NUDC)MOSFET,具有高电流驱动能力和阈值电压可控性
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:具有大体效应和低阈值电压的高驱动电流电感应体动态阈值sOI mOsFET(EIB-DTmOs)
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究