机译:适用于太阳能供电的便携式个人数字设备的0.5V 25MHz 1-mW 256Kb MTCMOS / SOI SRAM-使用降压负过驱动位线方案确保写入操作
机译:在TMDFET技术中使用位交织方案进行半选择无干扰的单端9晶体管SRAM单元
机译:使用分层复制位线技术的45 nm 2端口8T-SRAM,具有同时读写访问问题的免疫力
机译:一个20nm 0. 6V2.1μW/ MHz 128KB SRAM,交错字线和分层位线方案没有半选择问题
机译:采用分层位线和晶闸管读出放大器的128kb高密度无端口sRam