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机译:适用于太阳能供电的便携式个人数字设备的0.5V 25MHz 1-mW 256Kb MTCMOS / SOI SRAM-使用降压负过驱动位线方案确保写入操作
High speed; Low power; MTCMOS; Negatively overdriven bitline; SOI; Solar power cell; Squashed memory cell; SRAM; Ultralow-voltage write operation; 0.5-V operation;
机译:256-kb 9T近阈值SRAM,每个位线具有1k单元,并具有增强的读写操作