Universal Mobility; 10nm Range; MOSFETs;
机译:具有10nm宽度尺度的栅极 - 全围多通道多通硅纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线横向依赖性的宽度依赖性
机译:具有横向单轴拉伸应力轮廓的硅纳米线,用于高电子迁移率全栅MOSFET
机译:利用硅厚度相关的形变势分析(100)取向单栅和双栅n-MOSFET的应力诱导迁移率增强
机译:移动性增强(100)硅纳米线门 - 全围绕宽度和高度的硅纳米线门 - 全部MOSFET的范围小于10nm
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:具有侧向单轴拉伸应力分布的硅纳米线,用于高电子移动栅极 - 全绕MOSFET