机译:硅衬底上的拉伸应变双异质结锗引脚LED的室温电致发光
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si 0.13 Ge 0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:GdScO_3(110)衬底上拉伸应变的SrTiO_3薄膜中与缺陷相关的室温铁电
机译:Si衬底上的拉伸应变双异质结Ge Pin LED的室温电致发光
机译:在长期苗圃生产中,pH值的变化,松散的稻壳修饰了松树皮基质的物理特性,以及容器生长的灌木的生长。
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:Ge虚拟衬底上拉伸应变si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:改进的应变HEmT(高电子迁移率晶体管)特性使用双(0.65)Ga(0.35)as / In(0.52)al(0.48)设计的双异质结。