机译:带有凹进并选择性再生的Si1-xGex源/漏结的pMOSFET
机译:通过干式氧化源/漏Si_(1-x)Ge_x结构的干氧化来实现高沟道应变
机译:硅化凹陷的源极/漏极Si ^ Gex结构后沟道应变演变的表征
机译:硅源/漏极Si1-xGex的后退火过程中Ge凝结对沟道应变的影响
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:火星流出通道:其源含水层如何形成为什么它们如此迅速地排干?
机译:在凹陷源和漏极处逐步siGe:B的选择性外延生长:生长动力学和应变分布研究
机译:凹陷路缘入口和桥梁排水系统的水力特性