首页> 外文会议>日本学術会議材料研究連合講演会;Japan Congress on Materials Research >プラズマイオン注入·成膜(PBIID)法により作製したSi含有DLC膜の熱酸化安定性に関する研究
【24h】

プラズマイオン注入·成膜(PBIID)法により作製したSi含有DLC膜の熱酸化安定性に関する研究

机译:等离子体离子注入/成膜(PBIID)法制备Si含DLC膜的热氧化稳定性研究

获取原文

摘要

本研究ではプラズマイオン注入·成膜(PBIID)法を用いて,耐熱性の向上を目的にSiを添加したSi含有DLC膜を作製し,大気雰囲気中で熱処理を施した後,Si含有DLC膜の熱酸化安定性について検討した.また,Si含有量を変化させて,皮膜の構造に及ぼすSi含有量の影響についても調査した.
机译:在本研究中,通过使用等离子体离子注入/膜形成(PBIID)方法将Si添加Si以改善耐热性而获得的含Si的DLC膜,以及在空气气氛中的热处理后,含Si的DLC膜检查热氧化稳定性。 此外,我们还通过改变Si含量来研究Si含量对膜结构的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号