Anwendung von Teststrukturen zur Elektrischen Charakterisierung von AVT-Materialien in Abhangigkeit der Frequenz (bis 100 GHz)

摘要

Der Einsatz von Tragermaterialien in hoheren Frequenz- und Temperaturbereichen hat in den letzten Jahren eine immer grossere Bedeutung gewonnen. Solche Materialien sind durch ihre dielektrischen Eigenschaften, die sowohl von der relativen Dielektrizitatszahl ε_r als auch von dem dielektrischen Verlustfaktor tanδ stark abhangig sind, eindeutig zu definieren. Daher ist die Bestimmung (Messung) bzw. ein kontinuierliches Monitoren der beiden Faktoren, ε_r und tanδ, in hoheren Frequenz- und Temperaturbereichen notwendig. In diesem Paper werden unterschiedliche Resonatorstrukturen zur Ermittlung der Materialparameter in einem Frequenzbereich von DCbis hin zu 100 GHz bei 23°C vorgestellt. Die entsprechenden Theorien sowie die Modellierungsmethoden werden aufgezeigt. Daruber hinaus werden die Teststrukturen nach den Gesichtspunkten Genauigkeit, Sensitivitat und Handhabung vergleichend gegenubergestellt.