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机译:用半导体近表面层表面金属掺杂的Mai椭圆测定研究
Nikolas L. Dmitruk; Lubov A. Zabashta; Oleg I. Zabashta;
机译:基于分子束外延生长的梯度间隙p-Hg0.78Cd0.22Te的金属-绝缘体-半导体结构近表面半导体层中的掺杂剂
机译:H钝化Si(111)表面上鸟嘌呤层的真空紫外光谱椭偏研究
机译:在宽能谱的离子束辐照下,多层膜中的离子混合和多晶衬底近表面层的掺杂
机译:椭圆偏振光谱法表征半导体层状结构。
机译:钙离子掺杂对太阳能电池钙钛矿晶化速度和光吸收层半导体特性的调控表面形貌
机译:在n掺杂的H-钝化半导体表面上寻找金属悬挂键合线
机译:增强半导体近表面层中掺杂浓度的方法及其制造方法
机译:-增强半导体近表面层中掺杂浓度的方法及其制造方法
机译:提高半导体近表面层中掺杂浓度的方法及其制造方法
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