Transistor Laser; heterojunction bipolar transistor; multiple quantum - wells; threshold base current; optical gain;
机译:GaAs基中具有InGaAs量子阱的晶体管激光器的估计阈值基极电流和光功率输出
机译:基座中具有多个量子阱的晶体管激光器的阈值-基极电流分析模型
机译:基地对称和不对称多量子的GESN晶体管激光器性能提高
机译:对称和非对称多量子阱晶体管激光器的阈值基本电流和光功率输出
机译:InAlGaAs / InP发光晶体管和晶体管激光器工作在1.55微米附近。
机译:使用非对称In0.15Ga0.85N / In0.02Ga0.98N多量子阱提高InGaN激光二极管的输出功率
机译:磁场对AlGaInP多量子阱激光器的阈值电流,温度特性和输出功率的影响
机译:计算可见II-VIZnCdse / Znse量子阱二极管激光器的室温阈值电流密度。 (重新公布新的可用性信息)