TiN電極を用いたTa_2O_5-ReRAMにおけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存

摘要

本研究では、Ni/Ta_2O_5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた.同ーの素子において、異なる二種類の抵抗変化特性が発現した.初期状態の素子をフォーミングさせると、その後の電圧印加により急峻な変化を有するデジタル抵抗変化特性を示した.一方で、フォーミングをさせず、初期状態の素子への電圧印加により特殊な状態へ遷移した素子は、その後の電圧印加により緩やかな変化を有するアナログ抵抗変化特性を示した.素子の電気的特性およびTa_2O_5層の酸素空孔の分布などから、それぞれの動作モデルについて検討をおこなつた.