酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体グート薄膜トランジスタ

摘要

本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)_4Ti_3O_(12)(BLT)を用いて、強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT)を作製し、TFT特性を評価した。まずリーク電流を抑えTFT特性を得るために、BLTの良好な結晶性を実現するァニール条件の検討を行った。次に、良好なI-V特性を得るための最適なポストアニール条件を検討した。その結果、ポストアニール100°Cで移動度1.58 cm~2/Vs、SS値0.84 V、しきい値電圧V_(th)5.05 V、オン電流I_(ON)0.16 mA、ヒステリシス幅3.5 VのTFT特性、反時計回りのヒステリシスを確認した。