法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/32 授权公告日:20110406 终止日期:20180302 申请日:20070302
专利权的终止
2011-04-06
授权
授权
2009-08-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-24
公开
公开
机译: 使用基于HfInZnO的氧化物半导体作为沟道层的氧化物半导体薄膜晶体管,其制造方法以及包括该薄膜的有机电致发光器件
机译: 电致发光器件中的薄膜晶体管,使用该器件的电致发光器件以及通过保持恒定驱动电流来提高图像质量的薄膜晶体管的制造方法
机译: 固化的聚硅氧烷组合物和聚硅氧烷固化的产品,光学元件,航空航天业的成员,半导体发光器件,发光器件和使用相同显示装置的图像显示器件