(Al_2O_3)_(1-x)(SiO_2)_x/GaN界面の原子構造と電子構造の第一原理計算による考察

摘要

GaNを用いたMOSデバイス作成のため、SiO_2とAl_2O_3の混晶である(Al_2O_3)_(1-x)(SiO_2)_x (AlSiOと呼ぶ)の研究が行われており、高い絶縁特性や低い界面準位密度が報告されている[1]。しかしAlSiO/GaN 界面構造は明らかになっておらず、また、酸化膜/GaN界面構造の理論計算は行われてきているが、アモルファス状の酸化膜を用いた報告はなされていない。そこで本研究では密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて、アモルファスAlSiO/GaN界面の原子構造および電子状態について議論する