Performance evaluation; Conferences; Failure analysis; Stability analysis; Nanoscale devices; Etching; Transistors;
机译:真空纳米电子技术:回到未来吗?—门绝缘纳米级真空沟道晶体管
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机译:纳米级真空通道晶体管,面内收集结构
机译:致力于实现纳米级真空通道晶体管的无真空操作
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于石墨烯的纳米级真空通道晶体管
机译:回复纳米福布斯,纳米福尔斯·福布斯纳米级真空通道晶体管“评论”设计和电路模拟“。,纳米尺度adv。,2020,2,DOI:10.1039 / D0NA00687D
机译:双极晶体管和二极管电瞬态失效 - 预测失效模型与实验损伤测试。 2. aFWL晶体管和二极管失效模型