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随伴感度解析を用いた TSSG法 SiC結晶成長における るつぼ内熱対流の最適化

机译:用相关敏感性分析优化TSSG方法SiC晶体生长中的热对流

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摘要

TSSG法によるSiC結晶成長は、従来用いられている 昇華法によるものと比べて、高品質な結晶を低コスト で製造できるため注目されている。一方で、低炭素溶 解度のために結晶成長速度は極めて遅く、高品質結晶 成長を維持しつつ、高速成長化させることが求められ ている。しかし、種結晶下部流れは自由表面上の温度 差に起因するMarangoni対流による下降流が支配的と なり、成長速度分布が不均一化する。るつぼ温度分 布を最適化することでMarangoni対流を制御し、種結 晶下部流れを上昇流とすることが重要である。そこで 本研究では新たにノンパラメトリック解析である随伴 感度解析を導入し、るつぼ内熱対流の最適化を検討 した。
机译:TSSG方法的SiC晶体生长是吸引注意力,因为与常规升华方法相比,可以以低成本生产的高质量晶体。 另一方面,由于碳溶解度低,晶体生长速率极慢,并且需要增长高速增长,同时保持高质量的晶体生长。 然而,由于自由表面上的温差导致Marangoni对流,种子晶体下流动是显性的,并且生长速率分布是不均匀的。 通过优化转弯温度分布,控制Marangoni对流是重要的,并且种子晶体降低流量增加。 因此,在本研究中,我们引入了伴随敏感性分析,这是一种新的非参数分析,我们检查了坩埚中的热对流的优化。

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